LMG3410R050 600 V GaN FET功率級
Texas Instruments 的 50 mΩ 功率級具有集成驅動器和集成保護
Texas Instruments的 LMG3410R050 GaN 功率級集成了驅動器和保護功能，使設計師們能夠在功率電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。LMG3410R050 具有優于硅 MOSFET 的固有優勢，包括超低的輸入和輸出電容、將開關損耗降低多達 80% 的零反向恢復以及降低 EMI 的低開關節點瞬時振蕩。這些優點使密集而高效的拓撲成為可能，例如圖騰柱 PFC。
LMG3410R050 通過集成一系列獨特的功能來簡化設計、最大限度提高可靠性并優化任何電源的性能，從而為傳統的共源共柵 GaN 和獨立的 GaN FET 提供了智能替代方案。集成柵極驅動器可實現 100 V/ns ，同時接近零 VDS瞬時振蕩，小于 100 ns 的電流限制反饋可自我防止意外熱擊穿事件，過熱關閉可防止熱失控，系統接口信號提供自我監測功能。
特性 應用中的硬開關加速應力分布圖證明了可靠性 支持高密度電源轉換設計： 與共源共柵或獨立 GaN FET 相比具有出色的系統性能 低電感 8 mm x 8 mm QFN 封裝，易于設計和布局 驅動強度可針對開關性能和 EMI 控制進行調節 數字故障狀態輸出信號 需要 +12 V 非穩壓電源 零共源電感 MHz 級工作傳播延遲 20 ns 用戶可調壓擺率：25 V/ns 至 100 V/ns 修整過的柵極偏置電壓可補償閾值變化，確保可靠的開關 不需要外部保護組件 過流保護，響應時間小于 100 ns 壓擺率抗擾度：>150 V/ns 瞬態過壓抗擾 超溫保護 所有電源軌具有欠壓鎖定 (UVLO) 保護 應用 高密度工業和消費電源 多級轉換器 太陽能逆變器 工業電機驅動 不間斷電源 高壓電池充電器
