MJD44H11T4G ON Semiconductor | MJD44H11T4GOSTR-ND | Digi-Key Electronics" />一般信息
數據列表
MJD44H11, MJD45H11;標準包裝
MJD44H11T4GOSTR-ND;part_id=919481;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" />
2,500
包裝
標準卷帶
零件狀態 有源
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - 雙極 (BJT) - 單
系列 -
其它名稱 MJD44H11T4GOS
MJD44H11T4GOS-ND
MJD44H11T4GOSTR
規格 晶體管類型 NPN
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 8A
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 80V
不同Ib，Ic 時的Vce 飽和值（最大值） 1V @ 400mA，8A
電流 - 集電極截止（最大值） 1μA
不同Ic，Vce時的 DC 電流增益（hFE）（最小值） 40 @ 4A，1V
功率 - 最大值 1.75W
頻率 - 躍遷 85MHz
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝 DPAK
文檔 PCN 組件/產地 Qualification Multiple Devices 24/Sep/2013
RoHS指令信息 Material Declaration MJD44H11T4G
圖像和媒體 產品相片 DPAK_369C
對該產品感興趣的顧客還對以下產品感興趣：
MJD45H11T4G
ON Semiconductor
TRANS PNP 80V 8A DPAK
單價5.02000
5005
Keystone Electronics
PC TEST POINT COMPACT RED
單價2.83000
MJD45H11RLG
ON Semiconductor
TRANS PNP 80V 8A DPAK
單價5.02000
MJD200T4G
ON Semiconductor
TRANS NPN 25V 5A DPAK
單價4.62000
ISO5852SDWR
Texas Instruments
DGTL ISO 5.7KV GATE DRVR 16SOIC
單價45.68000
