這些雙N溝道邏輯電平增強模式領域
場效應晶體管的生產利用飛兆半導體專有的，
高密度DMOS技術。這非常高的密度
特別定制，以最大限度地減少通態電阻的過程。
此裝置已特別設計的低電壓
作為數字晶體管的替代品的應用。由于偏見
電阻是不是必需的，這些N溝道FET可替代
幾個數字晶體管，各種偏置電阻
特點



絕對最大額定值，TA =25°
C，除非其他明智指出
符號參數FDC6301N單位
VDSS，VCC的漏源電壓，電源電壓為25 V
VGSS，VIN的柵源電壓，輸入電壓1.8 V
編號，漏輸出電流/輸出電流 - 連續0.22一
- 脈沖0.5
PD最大功率耗散（注1a）
（注1B）
0.9瓦
0.7
TJ和TSTG工作和存儲溫度范圍-55到150°C的
ESD靜電放電等級的MIL-STD-883D
人體模型（100PF/ 1500歐姆）
6.0千伏
熱特性
RqJA熱阻，結到環境（注1a）140°C / W，
RqJC熱阻，結到外殼（注1）60°C / W，
FDC6301N Rev.C
為25 V，0.22 A連續，0.5 A峰值。
的RDS（ON）
= 5瓦@的VGS=2.7 V〜
的RDS（ON）
=4瓦的VGS= 4.5 V。
非常低的水平柵極驅動要求允許直接
在3V電路的操作。 VGS（TH）
<1.5V。
柵源齊納ESD的耐用性。
>6kV的人體模型。