FDG6316P ON Semiconductor | FDG6316PTR-ND | Digi-Key Electronics" />
一般信息
數據列表
FDG6316P;標準包裝
FDG6316PTR-ND;part_id=978109;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" />
3,000
包裝
標準卷帶
零件狀態 有源
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
系列 PowerTrench®
其它名稱 FDG6316P-ND
FDG6316PTR
規格 FET 類型 2 個 P 溝道（雙）
FET 功能 邏輯電平門
漏源電壓（Vdss） 12V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 700mA
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 270 毫歐 @ 700mA，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 2.4nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 146pF @ 6V
功率 - 最大值 300mW
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
封裝/外殼 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應商器件封裝 SC-88（SC-70-6）
文檔 EDA / CAD 模型 FDG6316P by SnapEDA
PCN 封裝 Binary Year Code Marking 15/Jan/2014
Mult Devices 24/Oct/2017
PCN 組件/產地 Mult Dev Assem/Material Chg 11/Mar/2019
PCN 設計/規格 Mold Compound 07/May/2008
Mold Compound 12/Dec/2007
RoHS指令信息 Material Declaration FDG6316P
圖像和媒體 產品相片 SOT 363
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