TOSHIBA代理商，場效應管TK9J90E原裝現貨。東芝提供超結MOSFET系列產品用于高輸出電源應用，并提供D-MOS（雙擴散）TK9J90E,S1E(S系列產品用于低輸出電源應用。先進的超結MOSFET DTMOSVI400V至900V MOSFET用于開關電源和變頻電機應用。DTMOS系列具有超結結構，即使漂移層具有高耐受電壓，也能夠降低其電阻。我們的第四代DTMOSIV系列采用了單層外延工藝來實現低導通電阻和高速開關。通過優化TK9J90E,S1E(S芯片設計，我們的π-MOSⅨ系列能夠達到與傳統π-MOSⅦ系列和競爭對手同類產品相同的功率轉換效率水平，同時降低EMI噪聲。因此，在設計諸如適配器之類的開關電源時，可以在不改變MOSFET以外的外圍部件的情況下獲得與傳統產品相同的特性，從而輕松替換傳統產品。在評估65W筆記本電腦電源適配器的電磁干擾（輻射）噪聲時，與我們傳統的π-MOSⅦ系列同等產品TK10A60D（600V／0.75Ω最大值／TO-220SIS封裝）相比，π-MOSⅨ系列的TK750A60F在不改變MOSFET外圍電路參數（漏源間電容、柵極串聯電阻等）的情況下降低了輻射噪聲。

TK9J90E,S1E(S Pspice的新產品N溝道900 9 250 2000 46 1.3 3 N TO-3P（N）

漏極-源極電壓VDSS額定值在選擇MOSFET時很重要。施加電壓超過VDSS可能會導致MOSFET損壞。有必要選擇MOSFET
VDSS足夠高于實際使用電壓。然而，具有較高VDSS額定值的MOSFET往往具有較大的導通狀態電阻RDS（ON）。的缺點
使用此類MOSFET會增加傳導損耗。如果您根據可能選擇MOSFET峰值浪涌電壓，您最終可能會選擇具有大通態電阻的設備。至
為解決這種情況，東芝還提供了具有保證的耐壓性的MOSFET。
如果浪涌電壓超過TK9J90E雪崩擊穿電流或能量，雪崩擊穿電流或能量額定值迫使MOSFET進入擊穿區域。此類MOSFET具有低VDSS和低VDSS的特點導通電阻。通常，導通狀態電阻確定漏極電流ID的上限。確保不僅將損失計算為ID2×RDS（ON），允許的功耗也為
加熱引起的溫度升高不會導致設備超過其工作溫度范圍。
VGS的注意事項：控制VGS的條件也很重要MOSFET選擇的因素。漏極電流RDS（ON）和柵極電壓描述如下：
（1）MOSFET的導通電阻低當它們在線性區域（即低于夾斷電壓）。因此，對于切換應用程序，您可以通過使用降低導通電阻低VDS區域中的MOSFET（圖1.1）。這有助于減少功率損耗。請注意MOSFET可以處理的電流量為受VGS值限制。
（2）當柵極-源極時MOSFET導通電壓VGS超過其閾值電壓Vth（圖1.2）。因此有必要為VGS選擇一個值足夠高于Vth。 VGS越高，則越低RDS（ON）值變為。另外，溫度越高，RDS（ON）值越高變為（圖1.3）。為了減少損失，重要的是增加VGS，以便
在使用電流的水平上最小化器件的電阻（圖1.4）。相反，較高的VGS值會增加輕載情況下的高頻驅動損耗交換。因此，選擇最佳柵極電壓至關重要。
（3）通常，建議以10 V的VGS驅動許多功率MOSFET的柵極。東芝的產品組合還包括功率MOSFET，用于以VGS的柵極驅動。
4.5V。選擇最適合您的設備要求的功率MOSFET。