MP1482DS-LF-Z 全新原裝進口，有現貨
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　比值 f2/f1隨比值C1/C0而異。這個特性可以用來調MP1482DS-LF-Z節晶體濾波器的通頻帶。例如，諧振器外接一個串聯電容器,等效于C1減小、f1升高；而外接一個并聯電容器,則等效于C0增大、f2降低。兩者均可縮小f1與f2之間的間隔,即縮窄通頻帶。如果串接或并接電感器,則將增大頻率間隔，展寬通頻帶。 　　因晶片不能做得很薄，石英晶體諧振器的基波頻率只能達到30～35兆赫。工作頻率較高的諧振器大多工作于泛音（高于基頻近奇次倍的振動），但泛音次數越高，串、并聯諧振頻率的間隔越小。 　　70年代發展起來的離子刻蝕技術能使晶體諧振器的基波頻率接近 500兆赫。但由于外接元件，特別是線圈問題，其泛音頻率也只能做到 600兆赫，相對帶寬約為0.01％～1％。
編輯本段分類
分立式晶體濾波器
　　由分立式晶體諧振器和分立式電子元件構成的濾波器。圖2a的差接橋型晶 圖2a
體濾波器是其一種。在濾波性能上它和格型濾波器等效，但所用的晶體諧振器數目可減少一半。其阻抗特性及衰減特性如圖2b 和c。在f1至f3之間,z1和z2的符號相反,又由于變壓MP1482DS-LF-Z器次級兩端電壓的極性相反,兩臂中的電流同號相加,所以f1至f3間為濾波器的通頻帶。同理,當f＜f1和f＞f3時,z1和z2同號,兩臂電流異號相減;所以f1～f3兩側以外的區域為阻帶。z1＝z2時,輸出為零。分立式晶體 圖3
濾波器可實現的中心頻率為10千赫到350兆赫,相對帶寬為0.01％～10％。
集成式晶體濾波器
　　采用集成電路工藝制作的晶體濾波器，有單片的、串聯單片的和多片的三種類型。 　　單片晶體濾波器 由鍍在AT切（見石英晶體）石英片上若干對電極形成的耦合諧振器組成。圖3為其中最簡單的四電極單片晶體濾波器電路結構及其等效電路。輸入諧振器隨所加信號電壓而產生厚度切變振動，晶片因受電極質量負荷的影響，電極區的諧振頻率比非電極區的低，使彈性波在兩區邊界發生反射,從而使絕大部分能量陷落在電極區內,少量泄漏的能量則耦合到與之相鄰的諧MP1482DS-LF-Z振器。這樣依次相傳到輸出諧 圖4
振器，再變為電信號。適當地設計電極尺寸、諧振器間距和頻率鍍回率，就可以控制彈性波在晶片中的傳播，從而實現濾波功能。 　　串聯單片晶體濾波器 由若干用電容耦合的單片晶體濾波器組成（圖4）。其優點是利于調整工作頻率和抑制寄生頻率。 　　多片晶體濾波器 由串聯的耦合諧振器、并聯的單諧振器和電容器組成（圖5）。其特點是能在靠近通頻帶的頻率上形成若干衰減峰，有利于抑制干擾和改善濾波性能。 　　集成式晶體濾波器體積小、可靠性高而且造 圖5
價低。但其中心頻率只有4.5～350兆赫，相對帶寬為0.01％～0.3％,所以在要求中心頻率低、通頻帶寬的場合尚不能取代分立式晶體濾波器。