IRFP4468PBF Infineon Technologies | IRFP4468PBF-ND | Digi-Key Electronics" />
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一般信息
數據列表
IRFP4468PBF;標準包裝
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包裝
管件
零件狀態 有源
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列 HEXFET®
其它名稱 SP001554960
規格 FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 195A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 2.6 毫歐 @ 180A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 540nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 19860pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 520W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-247AC
封裝/外殼 TO-247-3
文檔 仿真模型 IRFP4468PBF Spice Model
其它有關文件 IR Part Numbering System
設計資源 IRFP4468PBF Saber Model
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預驅動光耦，適用于工業逆變器和光伏(PV)的功率調節系統。這款全新的預驅動光耦內置多種功能[1]，其中包括通過監控集電極電壓實現過流檢測。產品于今日起開始出貨。
TLP5231產品示意圖
新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。
目前現有產品[2]需要使用雙極型晶體管構成的緩沖電路來實現電流放大，這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠使用外部互補MOSFET緩沖器，僅在緩沖器MOSFET的柵極充電或放電時消耗電流，有助于降低功耗。
通過改變外部互補MOSFET緩沖器的大小，TLP5231能夠為各種IGBT和MOSFET提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET緩沖器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平臺來滿足系統的功率需求，從而簡化設計。
其他功能包括：在檢測到VCE(sat)過流后使用另一個外部N溝道MOSFET控制“柵極軟關斷時間”;另外，除了能通過監控集電極電壓檢測到VCE(sat)之外，還有UVLO[3]檢測，將任意故障信號輸出到一次側。以上這些現有產品[2]不具備的新特性，能夠讓TLP5231幫助用戶更輕松地設計柵極驅動電路。
