名稱：MOSFET
廠家：VISHAY
分類：其他電子元件
子類：其他電子元器件
數量：9500
SUD50P04-08-GE3 Vishay Siliconix | SUD50P04-08-GE3TR-ND | Digi-Key Electronics" />一般信息
數據列表
SUD50P04-08;
標準包裝
SUD50P04-08-GE3TR-ND;part_id=2441840;ref_supplier_id=742;ref_page_event=Standard Packaging" />
2,000
包裝
標準卷帶
零件狀態
有源
類別
分立半導體產品
產品族
晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列
TrenchFET®
其它名稱
SUD50P04-08-GE3TR
SUD50P0408GE3
規格
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
50A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
8.1 毫歐 @ 22A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
159nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
5380pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），73.5W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
文檔
PCN 組件/產地
Wafer Site 12/Sep/2018
圖像和媒體
產品相片
TO-252
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一種典型的同相整體增益負反饋運算放大器配置，可以檢測分壓。LTP5901輸入的ADC范圍為0 V至1.8 V。R1和R2以最小的靜態電流降低電池電壓，以延長電池壽命。LTC2063的輸入偏置電流非常低，即使這些高電阻值也不會影響最終的10位ADC的精度。LTC2063消耗最小的電源電流，提供隨時間和溫度變化而呈現的零漂移優勢。
電流檢測
圖2.電流檢測電路。
電池供電和隔離電子設備的出色之處在于：它可以在任何位置設置接地。在最方便的電路拓撲結構中，我們可以在不喪失通用性的情況下檢測電流，同時將終端放置在與本地接地相關的任何位置。對于單極電流，例如4 mA至20 mA的工業環路，人們可以使用傳統的低側拓撲結構來安全檢測與本地接地相關的電流。圖2展示的是電流流過一個非常小的電阻R2，由此產生檢測電壓。因為放大器的零漂移、極低的失調電壓性能等原因，這個輸入電壓可能非常小。電路所示經由501mΩ檢測電阻產生的輸入的增益增高101V/V。在20 mA時，VOUT是1.012 V。可以選擇其他值來最大程度地使用ADC的1.8 V范圍。
電阻R4相對較低，是LTC2063輸入電容的低阻抗分流器。因此，較大的R1反饋電阻與輸入電容之間的相互作用不會起到穩定作用。
構建的電路經過優化之后，用于測試0 mA至35 mA電流、0 V至1.8 V ADC的映射范圍。
輻照度計
圖3.利用太陽能電池進行短路輻照度測量。
TS982IDWT
TS951ILT
TS7211BILT
TS5A3159DCKR
TS5A3157DCKR
TS5A3157ADCKR
TS4990IST
TS4990IQT
TS486IST
TS431IYLT
TS431ILT
TS431AILT
TS321IYLT
TS321ILT
TS321AILT
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MVPS05A2-NAE1-T
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MVPG15B-A2-NAE1C000
MVPG06-A0-NAE1C000
