名稱：MOSFET
廠家：VISHAY
分類：其他電子元件
子類：其他電子元器件
數量：16289
產品一般信息 數據列表 SI7145DP;標準包裝
SI7145DP-T1-GE3TR-ND;part_id=2441720;ref_supplier_id=742;ref_page_event=Standard Packaging" />
3,000
包裝
標準卷帶
零件狀態 有源
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列 TrenchFET®
其它名稱 SI7145DP-T1-GE3TR
SI7145DPT1GE3
規格 FET 類型 P 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 60A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 2.6 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2.3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 413nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 15660pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 6.25W（Ta），104W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 PowerPAK® SO-8
封裝/外殼 PowerPAK® SO-8
文檔 EDA / CAD 模型 SI7145DP-T1-GE3 by SnapEDA
PCN 組件/產地 Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014
圖像和媒體 產品相片 PowerPAK SO-8
視頻文件 MOSFET Technologies for Power Conversion
嵌入式系統理論教學內容主要圍繞ARM嵌入式微處理器、嵌入式操作系統和嵌入式系統的應用和前沿發展；教學目的是熟悉設計方法，掌握嵌入式系統開發技術。理論教學一般不少于12學時，不多于總學時的一半。筆者一般控制在16學時左右，授課內容主要包括：
◆ 嵌入式系統概述；
◆ ARM內核嵌入式微處理器；
◆ 嵌入式實時操作系統及其移植；
◆ 嵌入式系統交叉開發環境；
◆ 物聯網與嵌入式系統的應用。
3 面向物聯網的嵌入式系統實驗
3.1 層次化實驗設計
理論教學為實驗實踐環節提供了必要的知識基礎，而實驗和實踐環節則在鞏固理論基礎的同時，進一步提高了動手能力，開發了創造潛能[7]。筆者選用周立功公司的MagicARM2210S嵌入式實驗開發平臺，除包含主流的各種串行接口和GPIO口外，還包含以太網接口、GPS（全球定位系統）模塊接口、CAN總線接口等。針對這些接口和物聯網的應用背景，筆者設計了3個層次的實驗，以滿足不同階段的實驗和實踐需求，如表1所列。實驗層次由淺入深，不同的實驗層次對應不同的實驗項目，而且組織形式也不同。基礎性實驗主要目的在于熟悉方法。而綜合性實驗和創新性實驗則多是以物聯網的應用為基礎的，在于提高能力。3個層次的實驗循序漸進，逐步提高，為進一步的實踐開發和畢業設計打下了良好的基礎。
表1 面向物聯網的嵌入式實驗層次化設計
3.2 物聯網項目實踐環節
通過項目實踐來鍛煉和提高動手能力的重要性是毋庸置疑的[78]。2009年，我校啟動“物聯網在森林環境監測和保護中的應用”項目，筆者負責物聯網中間層的嵌入式網關設計，主要功能模塊如圖2所示。GPS模塊接口主要采集終端的經度緯度信息，而無線數據收發模塊主要收集各終端傳感器發送的溫度、土壤濕度、日照等環境信息。這些終端信息通過ARM處理器打包成UDP數據包，通過以太網網絡接口傳送給基站服務器。
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