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4N10L12

發布時間:2020/4/8 10:59:00 訪問次數:261 發布企業:深圳市翔睿騰科技有限公司

4N10L12

制造商:Infineon Technologies

說明:

MOSFET N-Ch 100V 60A DPAK-2

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝/ 箱體: TO-252-3

通道數量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續漏極電流: 60 A

Rds On-漏源導通電阻: 9.8 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.1 V

Qg-柵極電荷: 49 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 94 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

高度: 2.3 mm

長度: 6.5 mm

系列: XPD60N10

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 6.22 mm

商標: Infineon Technologies

下降時間: 21 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 3 ns

工廠包裝數量: 2500

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 20 ns

典型接通延遲時間: 4 ns

零件號別名: IPD60N10S4L12ATMA1 SP000866550 IPD6N1S4L12XT IPD60N10S4L12ATMA1

單位重量: 4 g


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