ON Semiconductor 的 SiC MOSFET 可提供高效率、更高的功率密度和更小的系統尺寸

NVHL020N120SC1,NTHL080N120SC1,NVBG020N120SC1,NVHL080N120SC1

ON Semiconductor碳化硅 (SiC) MOSFET 使用的技術與硅相比，可提供卓越的開關性能和更高的可靠性。此外，低導通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。因此，系統優勢包括高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度，更低的 EMI 和更小的系統尺寸。

技術文檔 碳化硅 MOSFET：柵極驅動優化 應用說明 碳化硅 MOSFET 的應用 特性 額定 1200 V VGS= 20 V、ID= 20 A 時，最大 RDS(on)= 110 mΩ 高速開關和低電容 100% 通過 UIL 測試 根據 AEC-Q101，符合汽車要求 應用 PFC OBC 升壓逆變器 電動汽車充電 最終產品 用于 EV/PHEV 的汽車 DC/DC 轉換器 汽車車載充電器 汽車輔助電機驅動器 太陽能逆變器 網絡電源 服務器電源