型號：
FDPF12N60NZ
廠家:ON/FSC
批號：2020+
封裝：TO-220F
數量：25500
庫位：深圳25500
說明：只做原裝/假一賠十/可開13點增值稅票

規格
產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: ON Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220FP-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 12 A
Rds On-漏源導通電阻: 530 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5 V
Qg-柵極電荷: 34 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 39 W
配置: Single
商標名: UniFET
封裝: Tube
高度: 16.07 mm
長度: 10.36 mm
系列: FDPF12N60NZ
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.9 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值: 13.5 S
下降時間: 130 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 110 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 170 ns
典型接通延遲時間: 60 ns
單位重量: 2.270 g
FDPF12N60NZ ON Semiconductor | 488-FDPF12N60NZ-ND | Digi-Key Electronics" />規格 FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 12A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 650 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 34nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1676pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 39W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220F
封裝/外殼 TO-220-3 整包