型號：
IRFB4227PBF
廠家:IR/INFINEON
批號：19+
封裝：TO-220
數量：48680
庫位：深圳48680
說明：只做進口原裝 假一賠百

規格 FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 65A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 24 毫歐 @ 46A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 98nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4600pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 330W（Tc）
工作溫度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3

規格
產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 200 V
Id-連續漏極電流: 65 A
Rds On-漏源導通電阻: 24 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
Qg-柵極電荷: 70 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 330 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 49 S
下降時間: 31 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 20 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 21 ns
典型接通延遲時間: 33 ns
零件號別名: SP001565892
單位重量: 6 g

原裝進口正品現貨以下供應：
ADM3488EARZ
ADM3490ARZ
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