型號：
CSD25310Q2
廠家:TI
批號：19+
封裝：WSON-6
數量：6500
庫位：深圳6500
說明：原裝現貨，假一賠十

CSD25310Q2產品規格 FET 類型 P 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 20A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 23.9 毫歐 @ 5A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 4.7nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 655pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.9W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 6-WSON（2x2）
封裝/外殼 6-WDFN 裸露焊盤

規格
產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Texas Instruments
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: WSON-6
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 20 A
Rds On-漏源導通電阻: 23.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 4.5 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 550 mV
Qg-柵極電荷: 3.6 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.9 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: NexFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 0.75 mm
長度: 2 mm
系列: CSD25310Q2
晶體管類型: 1 P-Channel Power MOSFET
寬度: 2 mm
商標: Texas Instruments
下降時間: 5 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 15 ns
典型接通延遲時間: 8 ns
單位重量: 6 mg
CSD25310Q2 Texas Instruments | 296-38915-2-ND | Digi-Key Electronics" />