描述：STN1NK60Z

這些設備受N通道齊納保護
使用以下產品開發的功率MOSFET
意法半導體的SuperMESH™技術，
通過優化ST井實現
建立基于條帶的PowerMESH™布局。 在
除了可以大大降低導通電阻之外，該器件還可以確保
最高的dv / dt能力
苛刻的應用


特征：STN1NK60Z
•經過100％雪崩測試
•極高的dv / dt功能
•柵極電荷最小化
•ESD改進的功能

•齊納保護

應用領域：STN1NK60Z

•切換應用

STN1NK60Z

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-223-4
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 300 mA
Rds On-漏源導通電阻: 15 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 4.9 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.3 W
通道模式: Enhancement
商標名: SuperMESH
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 1.8 mm
長度: 6.5 mm
系列: STN1NK60Z
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
寬度: 3.5 mm
商標: STMicroelectronics
下降時間: 28 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 5 ns
工廠包裝數量: 4000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 13 ns
典型接通延遲時間: 5.5 ns
單位重量: 112 mg