SKIIP31NAB125T12封裝：IGBT模塊
SKIIP31NAB125T12數量：180
SKIIP31NAB125T12批號：11+
SKIIP31NAB125T12備注：原廠包裝公司倉庫現貨
SKIIP31NAB125T12技術參數：電議
SEMiSTART，一款來自賽米控(Semikron)的新型反并聯可控硅模塊(W1C開關)。該模塊被設計用于過載情況，它有三種不同的尺寸和五種不同的電流等級。尺寸最小的模塊可承受560A的過載電流，最大的則能夠承受最高3,000A的過載電流長達20秒(在啟動階段)；最大阻斷電壓為1,400V和1,800V。
與采用傳統的平板可控硅的設計不同，SEMiSTART模塊中的可控硅芯片是采用壓接技術直接壓在兩個散熱器之間。通過使用優化過的芯片冷卻技術，從而可以實現結構高度緊湊且穩健可靠的系統。此外，散熱器除用于散熱還作為電氣連接器。使用SEMiSTART模塊，軟啟動器的結構可以更為緊湊，從而帶來更高的性價比。
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