數據列表
IRF9Z24NPBF;
標準包裝
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50
包裝
管件
零件狀態
有源
類別
分立半導體產品
產品族
晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列
HEXFET®
其它名稱
*IRF9Z24NPBF
SP001555934
規格
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
55V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
12A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
175 毫歐 @ 7.2A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
19nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
350pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
45W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
