型號：
STW48N60M2
廠家:ST
批號：1920+
封裝：TO-247
數量：6000
庫位：深圳6000
說明：進口原裝正品，假一賠百
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STW48N60M2規格
產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 42 A
Rds On-漏源導通電阻: 70 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 70 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: MDmesh
封裝: Tube
系列: STW48N60M2
商標: STMicroelectronics
下降時間: 119 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 17 ns
工廠包裝數量: 600
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 13 ns
典型接通延遲時間: 18.5 ns
單位重量: 38 g
STW48N60M2 STMicroelectronics | 497-15250-5-ND | Digi-Key Electronics" />
規格 FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 42A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 70 毫歐 @ 21A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 70nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3060pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-247
封裝/外殼 TO-247-3