900 V碳化硅（SiC）MOSFET 安森美半導體的MOSFET可提供高效率，更高的功率密度以及更小的系統尺寸

安森美半導體的900 V SiC MOSFET使用的技術與硅相比具有更高的開關性能和更高的可靠性。此外，低導通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。因此，系統的好處包括高效率，更快的工作頻率，增加的功率密度，減少的EMI和減小的系統尺寸。

特征 額定900 V 低導通電阻 緊湊的芯片尺寸可確保低電容和柵極電荷 高速開關和低電容 100％UIL測試 符合AEC-Q101的汽車標準 應用領域 全氟化合物 OBC 升壓逆變器 光伏充電 EV / PHEV汽車用DC / DC轉換器 汽車車載充電器 汽車輔助電機驅動器 網絡電源 服務器電源