深圳市大唐盛世半導體有限公司

手 機：17727572380（程R) 。13008842056(張R）

電 話：0755-83226739

Q Q:626839837。3160836686

ILD1214M10 ： L波段雷達射頻功率LDMOS晶體管,公司優勢庫存。

L波段雷達射頻功率LDMOS晶體管
大功率晶體管部件號ILD1214M10為
為工作在1200-1400 MHz的L波段雷達而設計。 這個
LDMOS FET器件在300us以下，10％脈沖格式的電源
最小10-15瓦的峰值脈沖功率。 所有裝置
100％篩選出大信號參數。

硅LDMOS FET
大功率增益
thermal優異的熱穩定性
Metal黃金金屬
AB類操作
門極偏置到IDQ = 10mA
組態
共同來源
金金屬
最大可靠性
BeO-免費套餐
金屬基
環氧密封
環氧密封蓋
合格的總泄漏
射頻測試治具
寬帶
符合50Ω
長期相關
100％設備RF屏蔽
不允許進行外部調音

公司優勢庫存：

IGN1012S30
IGN1012L40
IGN1012S40
IGN1012S1000
IGN1011L60
IGN1011L70
IGN1011L120
IGN1011M400
IGN1011M600
IGN1011M800
IGN1011L1000
IGN1011L1200
IGN1030M40
IGN1030M800
IGN1030L800
IGN1030L1000
IGN1090M800
IGN0912L45
IGN0912CW300
IGN0912L500

ILD1012S500HV
ILD1011M15HV
ILD1011L20HV
ILD1011L200HV
ILD1011M275HV
ILD1011M550HV
ILD1011L950HV
ILD1011M1000HVC
ILD1011M160HV
ILD1011M280HV
ILD0912M15HV
ILD0912M60
ILD0912M150HV
ILD0912M400HV
IB450S300
IB450S500
IB0607S100
IB0607S1000
IB0912L30
IB0912L70
IB0912M70
IB0912L200
IB0912M210
IB0912M350
IB0912M500
IB0912M600
IB1012S10
IB1012S20
IB1012S50
IB1012S150
IB1012S500
IB1012S800
IB1012S1100
IB1011M10
IDM175CW300
IDM500CW200
IDM500CW300
IDM30512CW20
IDM30512CW50
IDM30512CW100
IDM165L650
IDM265L650