一般說明：ADR435BRMZ

ADR430 / ADR431 / ADR433 / ADR434 / ADR4351系列是
XFET®電壓基準系列具有低噪聲，高噪聲
精度和低溫漂移性能。使用模擬
Devices，Inc.，溫度漂移曲率校正及其他
植入結FET（XFET）技術，電壓變化與
ADR430 / ADR431 / ADR433 /的溫度非線性
ADR434 / ADR435最小化。
XFET參考電壓在較低電流（800 μA）和
較低的電源電壓裕量（2 V）低于埋入式穩壓管
參考。埋齊納基準電壓源需要超過5 V的電壓
操作空間。 ADR430 / ADR431 / ADR433 /
ADR434 / ADR435 XFET參考是低噪聲解決方案，適用于
5 V系統。
ADR430 / ADR431 / ADR433 / ADR434 / ADR435系列具有
能夠提供高達30 mA的輸出電流和灌電流
高達-20 mA。它還帶有一個調整端子，用于調節
輸出電壓在±0.5％范圍內，而不會受到影響
性能。
1受美國專利5,838,192保護。
ADR430 / ADR431 / ADR433 / ADR434 / ADR435是
提供8引腳MSOP和8引腳窄型SOIC封裝。所有
在擴展的工業溫度范圍內指定版本
范圍為−40°C至+ 125°C。


特征：ADR435BRMZ
低噪聲（0.1 Hz至10.0 Hz）：在2.500 V輸出時為3.5 μV p-p
無需外部電容器
低溫度系數
等級：最高10 ppm /°C
B級：最高3 ppm /°C
負載調節率：15 ppm / mA
線路調整率：20 ppm / V
工作范圍廣
ADR430：4.1 V至18 V
ADR431：4.5 V至18 V
ADR433：5.0 V至18 V
ADR434：6.1 V至18 V
ADR435：7.0 V至18 V
高輸出源電流和灌電流：30 mA和−20 mA

寬溫度范圍：−40°C至+ 125°C

應用領域：ADR435BRMZ
精密數據采集系統
高分辨率數據轉換器
醫療儀器
工業過程控制系統
光學控制電路

精密儀器

ADR435BRMZ

制造商: Analog Devices Inc.
產品種類: 參考電壓
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: MSOP-8
參考類型: Series Precision References
輸出電壓: 5 V
溫度系數: 1 PPM/C
分流電流—最大值: 30 mA
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
系列: ADR435
封裝: Tube
準確性: 15 ppm/mA
描述/功能: 5.0 V high precision, low noise XFET reference with output sink and source capability
高度: 0.85 mm
輸入電壓: 7 V to 18 V
長度: 3 mm
輸出電流: 30 mA
產品: Voltage References
寬度: 3 mm
商標: Analog Devices
拓撲結構: Series References
開發套件: EVAL-CN0240-SDPZ
負載調節: 15 ppm/mA
工作電源電流: 800 uA
產品類型: Voltage References
工廠包裝數量: 50
子類別: PMIC - Power Management ICs
單位重量: 140 mg