數據列表 IRF1404Z (S,L) PbF;
標準包裝
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800
包裝
標準卷帶
零件狀態 有源
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列 HEXFET®
其它名稱 IRF1404ZSTRLPBF-ND
IRF1404ZSTRLPBFTR
SP001564720
規格 FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 180A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 3.7 毫歐 @ 75A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 150μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 150nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4340pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 200W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 D2PAK（TO-263AB）
封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
