數據列表 SPW35N60C3;
標準包裝
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包裝
管件
零件狀態 不適用於新設計
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列 CoolMOS™
其它名稱 SP000014970
SPW35N60C3
SPW35N60C3-ND
SPW35N60C3IN
SPW35N60C3IN-ND
SPW35N60C3X
SPW35N60C3XK
規格 FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 34.6A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 100 毫歐 @ 21.9A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 1.9mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 200nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4500pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 313W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 PG-TO247-3
封裝/外殼 TO-247-3
