MB85RC04VPNF-G-JNERE1是一個配置為512的FRAM(鐵電隨機存取存儲器)芯片字×8位，采用鐵電法工藝和硅柵CMOS工藝技術進行成型非易失存儲器單元。與SRAM不同，MB85RC04VPNF-G-JNERE1能夠在不使用數據備份電池的情況下保留數據。用于MB85RC04VPNF-G-JNERE1的非易失性內存單元的讀/寫耐力已經提高到at至少1012個周期，在數量上明顯優于其他非易失性內存產品。

MB85RC04VPNF-G-JNERE1在寫入內存(如閃存)后不需要輪詢序列內存或E2PROM。

MB85RC04VPNF-G-JNERE1特性

•位配置:512字×8位

•雙線串行接口:完全可控的兩個端口:串行時鐘(SCL)和串行數據(SDA)。

•工作頻率:1mhz (Max)

讀寫耐力:1012次/字節

•數據保留:10年(+ 85°C)，95年(+ 55°C)，200年以上(+ 35°C)

•工作電源電壓:3.0 V至5.5 V

•低能耗:當前操作電源90μA (Typ @1 MHz)

待機電流5μA (Typ)

•運行環境溫度范圍

: - 40°C至+ 85°C

•包裝:8針塑料SOP (FPT-8P-M02)

通過無鉛認證