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SI2301CDS-T1-GE3

發布時間:2020/4/28 11:50:00 訪問次數:261 發布企業:深圳市翔睿騰科技有限公司

SI2301CDS-T1-GE3

制造商:Vishay Semiconductors

客戶編號:

客戶編號

說明:

MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

制造商:Vishay

產品種類:MOSFET

RoHS:詳細信息

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝/箱體:SOT-23-3

通道數量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續漏極電流:3.1 A

Rds On-漏源導通電阻:112 mOhms

Vgs -柵極-源極電壓:4.5 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:400 mV

Qg-柵極電荷:10 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.6 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:TrenchFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:SI2

晶體管類型:1 P-Channel

商標:Vishay Semiconductors

正向跨導-最小值:9.5 S

下降時間:10 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:35 ns

工廠包裝數量:3000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:30 ns

典型接通延遲時間:11 ns

零件號別名:SI2301CDS-GE3

單位重量:8 mg

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