數據列表 IXT(K,Q,T)82N25P;
標準包裝
IXTQ82N25P-ND;part_id=1652600;ref_supplier_id=238;ref_page_event=Standard Packaging" />
30
包裝
管件
零件狀態 有源
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列 PolarHT™
規格 FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 250V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 82A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 35 毫歐 @ 41A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 142nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 4800pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-3P
封裝/外殼 TO-3P-3，SC-65-3
