IRFR120NTRPBF技術資料

Vgs(th) (Max) @ Id :4V @ 250µA

Part Status :Active

FET 類型:N 溝道

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA

Operating Temperature :-55°C ~ 175°C (TJ)

封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

Package / Case:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值）:210 毫歐 @ 5.6A，10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :25nC @ 10V

功率耗散（最大值）:48W（Tc）

安裝類型:表面貼裝

技術 :MOSFET（金屬氧化物）

Rds On (Max) @ Id, Vgs:210mOhm @ 5.6A, 10V

包裝:剪切帶（CT）

FET Type:N-Channel

Drain to Source Voltage (Vdss) :100V

Vgs（最大值）:±20V

Vgs (Max) :±20V

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:9.4A（Tc）

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:330pF @ 25V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:330pF @ 25V

漏源電壓（Vdss）:100V

器件封裝:D-Pak

Mounting Type:Surface Mount

Supplier Device Package:D-Pak

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):10V

工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :9.4A (Tc)

Power Dissipation (Max) :48W (Tc)

Technology :MOSFET (Metal Oxide)

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