NCP51820GAN2GEVB
安森美半導體的NCP51820高速柵極驅動器旨在滿足離線，半橋電源拓撲中對驅動增強模式（e-mode）和柵極注入晶體管（GIT）GaN HEMT電源開關的嚴格要求。NCP51820為高端驅動器提供了短且匹配的傳播延遲以及-3.5 V至+650 V（典型值）共模電壓范圍。為了充分保護GaN功率晶體管的柵極免受過大的電壓應力，兩個驅動級均采用專用的電壓調節器來精確保持柵極-源極驅動信號的幅度。NCP51820提供重要的保護功能，例如獨立的欠壓鎖定（UVLO）和IC熱關斷。
資源資源
應用筆記：NCP51820 GaN驅動器，PCB設計和布局 技術文檔：GaN和SiC晶體管之間的區別 特征 650 V，高側和低側柵極驅動器 最大50 ns的快速傳播延遲 匹配傳播延遲最大為5 ns 所有SW和PGND參考電路的額定電壓為200 V / ns dv / dt 源極和漏極輸出引腳獨立 帶有獨立UVLO的穩壓5.2 V柵極驅動器，用于高端和低端輸出級 QFN 4 mm x 4 mm 15引腳封裝和優化的引腳分配 AC / DC設計的設計余量 適用于高頻操作 提高效率并允許并行化 高開關頻率應用的穩健設計 允許控制上升和下降時間以進行EMI調諧 最佳驅動GaN電源開關并簡化設計 PCB占板面積小，減少了寄生，適合高頻操作 應用領域 諧振轉換器 半橋和全橋轉換器 有源鉗位反激式轉換器 圖騰柱無橋PFC OLED電視的電源 大功率游戲適配器 美元PD手機和筆記本旅行適配器 服務器/云數據中心離線電源 工業變頻器和電動機驅動器
