描述：CSD87330Q3D
CSD87330Q3D NexFET™電源塊是針對同步降壓應用而優化的設計，可在3.3mm×3.3mm的小外形尺寸內提供高電流，高效率和高頻能力。 該產品針對5 V柵極驅動器應用進行了優化，提供了靈活的解決方案，當與來自外部控制器/驅動器的任何5 V柵極驅動器配對時，能夠提供高密度電源。

產品特性：CSD87330Q3D
半橋電源塊
高達27V的VIN
15 A時90％系統效率
高達20A的運行
高頻操作（高達1.5 MHz）
高密度SON 3.3mm×3.3mm占位面積
針對5V柵極驅動進行了優化
低開關損耗
超低電感封裝
符合RoHS
無鹵素
無鉛端子電鍍

制造商:CSD87330Q3D
Texas Instruments
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
LSON-CLIP-8
晶體管極性:
N-Channel
通道數量:
2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
30 V
Id-連續漏極電流:
20 A
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
1 V, 750 mV
Qg-柵極電荷:
4.8 nC, 9.6 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
6 W
通道模式:
Enhancement
商標名:
NexFET
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
配置:
Dual
高度:
1.5 mm
長度:
3.3 mm
系列:
CSD87330Q3D
晶體管類型:
2 N-Channel
寬度:
3.3 mm
商標:
Texas Instruments
正向跨導 - 最小值:
76 S, 51 S
開發套件:
EVMK2GXS, EVMK2G, EVMK2GX
下降時間:
1.7 ns, 1.6 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
6.8 ns, 7.5 ns
工廠包裝數量:
2500
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
9.4 ns, 9.1 ns
典型接通延遲時間:
4.5 ns, 4.5 ns
單位重量:
68 mg