描述：CSD25310Q2
這款19.9mΩ，–20 V P通道器件旨在以最小的外形提供最低的導通電阻和柵極電荷，并具有超薄的出色熱特性。 它的低導通電阻加上SON 2 mm×2 mm塑料封裝的極小占位面積，使該器件非常適合電池供電的空間受限操作。


有關所有可用軟件包，請參見數據表末尾的可訂購附錄。

產品特性：CSD25310Q2
超低Qg和Qgd
低導通電阻
低熱阻
無鉛
符合RoHS
無鹵素
SON 2mm×2mm塑料封裝

制造商:CSD25310Q2
Texas Instruments
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
WSON-6
晶體管極性:
P-Channel
通道數量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
20 V
Id-連續漏極電流:
20 A
Rds On-漏源導通電阻:
23.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
4.5 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
550 mV
Qg-柵極電荷:
3.6 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
2.9 W
通道模式:
Enhancement
商標名:
NexFET
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
配置:
Single
高度:
0.75 mm
長度:
2 mm
系列:
CSD25310Q2
晶體管類型:
1 P-Channel Power MOSFET
寬度:
2 mm
商標:
Texas Instruments
下降時間:
5 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
15 ns
工廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
15 ns
典型接通延遲時間:
8 ns
單位重量:
6 mg