描述：CSD19537Q3
這款100V，12.1mΩ，SON 3.3mm×3.3mm NexFET™功率MOSFET旨在將功率轉換應用中的損耗降至最低。

產品特性：CSD19537Q3
超低Qg和Qgd
低熱阻
雪崩等級
無鉛端子電鍍
符合RoHS
無鹵素
SON 3.3毫米×3.3毫米塑料封裝

制造商:CSD19537Q3
Texas Instruments
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
VSON-CLIP-8
晶體管極性:
N-Channel
通道數量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
100 V
Id-連續漏極電流:
50 A
Rds On-漏源導通電阻:
14.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2.6 V
Qg-柵極電荷:
16 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
83 W
通道模式:
Enhancement
商標名:
NexFET
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
配置:
Single
高度:
1 mm
長度:
3.3 mm
系列:
CSD19537Q3
晶體管類型:
1 N-Channel Power MOSFET
寬度:
3.3 mm
商標:
Texas Instruments
下降時間:
3 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
3 ns
工廠包裝數量:
2500
子類別:
MOSFETs
典型關閉延遲時間:
10 ns
典型接通延遲時間:
5 ns
單位重量:
24 mg