描述：CSD19505KCS
這款80 V，2.6mΩ，TO-220 NexFET™功率MOSFET旨在最大程度地減少功率轉換應用中的損耗。

產品特性：CSD19505KCS
超低Qg和Qgd
低熱阻
雪崩等級
無鉛端子電鍍
符合RoHS
無鹵素
TO-220塑料包裝

制造商:CSD19505KCS
Texas Instruments
產品種類:
MOSFET
RoHS:
詳細信息
技術:
Si
安裝風格:
Through Hole
封裝 / 箱體:
TO-220-3
晶體管極性:
N-Channel
通道數量:
1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:
80 V
Id-連續漏極電流:
100 A
Rds On-漏源導通電阻:
3.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:
20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:
2.6 V
Qg-柵極電荷:
76 nC
最小工作溫度:
- 55 C
最大工作溫度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
300 W
商標名:
NexFET
封裝:
Tube
配置:
Single
高度:
16.51 mm
長度:
10.67 mm
系列:
CSD19505KCS
晶體管類型:
1 N-Channel
寬度:
4.7 mm
商標:
Texas Instruments
正向跨導 - 最小值:
262 S
下降時間:
6 ns
產品類型:
MOSFET
上升時間:
16 ns
工廠包裝數量:
50
子類別:
MOSFETs
單位重量:
6 g