SCT2H12NZ 柵極驅動器電路 ROHM 的 SCT2H12NZ 柵極驅動器電路使 SiC MOSFET 性能最大化

ROHM的 SCT2H12NZ 為工業設備提供了輔助電源所需的高擊穿電壓。相比傳統的硅 MOSFET，導通損耗降低了 8 倍，從而獲得更高的能效。

針對工業設備中的輔助電源進行了優化

相比工業設備輔助電源中所用的1500 V 硅 MOSFET，SCT2H12NZ 的導通電阻小了 8 倍 (1.15 Ω)，且具有更高的擊穿電壓 (1700 V)。此外，緊湊的 TO-3PFM 封裝保持了工業設備所需的爬電距離（沿著絕緣材料表面的測量距離）。ROHM 即將發布表面貼裝型器件 (TO268-2L)，同時具有足夠的爬電距離。

當與 ROHM 的專用 IC 配合使用時提升了能效

使用這款最新的 SiC MOSFET 并配合 ROHM 為 SiC MOSFET 驅動器設計的 AC/DC 轉換器控制 IC (BD7682FJ LB)，使得該器件能夠最大限度地提高性能并將能效提升 6%。相同時間發生的熱將會減少，因此所需的散熱元件就可以很小，從而可以使用更小的元器件。

3.75k 隔離

通過添加 BM61M41RFV 或 BM61S40RFV，用戶便可擁有隔離電壓為 3750 VRMS、I/O 延遲時間為 65 ns、最小輸入脈沖寬度為 60 ns 的柵極驅動器。它具有欠壓鎖定 (UVLO) 功能和米勒鉗位功能。