描述:IS61WV51216EDBLL-10TLI
ISSI IS61WV51216EDALL和IS61 / 64WV51216EDBLL是高速8M位靜態RAM按16位組織為512K字。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的過程加上創新電路設計技術，可產生高性能和低功耗設備。當CE為高（取消擇）時，設備假定待機模式下功耗可以達到降低了CMOS輸入電平。通過使用芯片使能和輸出使能輸入CE和OE，可以輕松擴展存儲器。 activeLOW寫使能（WE）控制著存儲器的寫和讀。數據字節允許高字節（UB）和低字節（LB）訪問。該器件采用JEDEC標準44引腳封裝TSOP II型和48引腳迷你BGA（6mm x 8mm）。

特征：IS61WV51216EDBLL-10TLI
•高速訪問時間：8、10、20 ns
•高性能，低功耗CMOS工藝
•多個中心電源和接地引腳可增強抗噪能力
•通過CE和OE選項輕松擴展內存
•CE掉電
•完全靜態操作：無需時鐘或刷新
•TTL兼容輸入和輸出
•單電源
– Vdd = 1.65V至2.2V（IS61WV51216EDALL）
– Vdd = 2.4V至3.6V（IS61 / 64WV51216EDBLL）
•可用軟件包：
– 48球miniBGA（6mm x 8mm）
– 44引腳TSOP（II型）
•工業和汽車溫度支持
•無鉛
•高低字節數據控制

制造商:IS61WV51216EDBLL-10TLI
ISSI
產品種類:
靜態隨機存取存儲器
RoHS:
詳細信息
存儲容量:
8 Mbit
組織:
516 k x 16
訪問時間:
10 ns
接口類型:
Parallel
電源電壓-最大:
3.6 V
電源電壓-最小:
2.4 V
電源電流—最大值:
50 mA
最小工作溫度:
- 40 C
最大工作溫度:
+ 85 C
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
TSOP-44
封裝:
Tray
存儲類型:
SDR
系列:
IS61WV51216EDBLL
類型:
Asynchronous
商標:
ISSI
濕度敏感性:
Yes
產品類型:
SRAM
子類別:
Memory & Data Storage
單位重量:
470 mg