描述：TLE2072IDR
TLE207x系列JFET輸入運算放大器的帶寬是BiFET運算放大器TL07x和TL08x系列的兩倍以上，壓擺率則是原來的三倍。德州儀器Excalibur工藝產生的典型本底噪聲為11.6 nV / Hz，最大保證噪聲為17-nV / Hz，可立即改善使用TL07x設計的噪聲敏感電路。 TLE207x還具有更寬的電源電壓軌，從而將BiFET電路的動態信號范圍增加到±19V。片內齊納二極管對失調電壓的調整可產生精度等級，從而在直流耦合應用中具有更高的精度。 TLE207x與性能較低的BiFET運算放大器引腳兼容，可輕松提高現有設計的性能。
BiFET運算放大器提供了JFET輸入晶體管固有的更高輸入阻抗，而不會犧牲與雙極放大器相關的輸出驅動。這使得它們更適合與高阻抗傳感器或非常低電平的交流信號接口。與具有可比功耗的雙極或CMOS器件相比，它們還具有固有的交流響應特性。
TLE207x系列BiFET放大器是德州儀器（TI）最高性能的BiFET，具有更嚴格的輸入失調電壓并確保了最大的噪聲規格。要求不太嚴格的規范但尋求TLE207x的改進的交流特性的設計人員應考慮TLE208x運算放大器系列。
由于BiFET運算放大器是為與雙電源一起使用而設計的，因此在使用單電源供電時，必須注意遵守共模輸入電壓限制和輸出擺幅。需要輸入信號的直流偏置，并且負載應在電源中間終止至虛擬接地節點。德州儀器（TI）的TLE2426集成虛擬接地發生器在使用單電源操作BiFET放大器時非常有用。
TLE207x的完整額定值為±15 V和±5V。為在低壓和/或單電源系統中運行，建議使用Texas Instruments LinCMOS運算放大器系列（TLC和TLV前綴）。從BiFET轉移到CMOS放大器時，應特別注意壓擺率和帶寬要求以及輸出負載。

產品特性：TLE2072IDR
直接升級到TL05x，TL07x和
TL08x BiFET運算放大器
大于2倍帶寬（10 MHz）和
TL07x具有3倍壓擺率（45 V / μs）
確保最大本底噪聲17 nV / Hz
片內失調電壓微調
改善的直流性能
更寬的電源軌增加了動態
信號范圍為±19 V

制造商:TLE2072IDR
Texas Instruments
產品種類:
運算放大器 - 運放
RoHS:
詳細信息
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOIC-8
通道數量:
2 Channel
電源電壓-最大:
38 V
GBP-增益帶寬產品:
9.4 MHz
每個通道的輸出電流:
48 mA
SR - 轉換速率 :
40 V/us
Vos - 輸入偏置電壓 :
6 mV
電源電壓-最小:
4.5 V
最小工作溫度:
- 40 C
最大工作溫度:
+ 85 C
Ib - 輸入偏流:
175 pA
工作電源電流:
1.55 mA
關閉:
No Shutdown
CMRR - 共模抑制比:
80 dB to 98 dB
en - 輸入電壓噪聲密度:
28 nV/sqrt Hz
系列:
TLE2072
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
放大器類型:
Wideband Amplifier
高度:
1.58 mm
輸入類型:
Rail to Rail
長度:
4.9 mm
產品:
Operational Amplifiers
電源類型:
Single, Dual
技術:
BiFET
寬度:
3.91 mm
商標:
Texas Instruments
雙重電源電壓:
+/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V
In—輸入噪聲電流密度:
0.0028 pA/sqrt Hz
最大雙重電源電壓:
+/- 19 V
最小雙重電源電壓:
+/- 2.25 V
工作電源電壓:
4.5 V to 38 V, +/- 2.25 V to +/- 19 V
產品類型:
Op Amps - Operational Amplifiers
工廠包裝數量:
2500
子類別:
Amplifier ICs
電壓增益 dB:
106 dB
單位重量:
76 mg