IS62WV51216BLL-55TLI是由16個512K字組成的8M位高速靜態ram位。它是使用ISSI的高性能CMOS制造的技術。IS62WV51216BLL-55TLI這一高度可靠的過程與創新相結合電路設計技術，產生高性能和低能耗設備。當CS1高(取消選擇)或CS2低時(非選)或當CS1低時，CS2高，兩者均為LBUB值較高，IS62WV51216BLL-55TLI設備處于待機模式使用CMOS可以減少哪些功耗輸入的水平。通過使用芯片使能提供簡單的內存擴展和輸出使輸入成為可能。激活的低寫啟用(我們)控制記憶的寫和讀。一個數據允許上字節(UB)和下字節(LB)訪問。

IS62WV51216BLL-55TLI已打包在JEDEC標準的48針迷你BGA (7.2mm x 8.7mm)中和44針TSOP (II型)。

特性

•高速訪問時間:45ns, 55ns

CMOS低功耗操作

- 36mw(典型)運行

- 12μW(典型的)CMOS備用

TTL兼容的接口級別

•單電源

- 1.65V—2.2V VDD (62WV51216ALL)

- 2.5V—3.6V VDD (62WV51216BLL)

•完全靜態操作:沒有時鐘或刷新

要求

•三個狀態輸出

•上下字節的數據控制

•工業溫度可用

•無鉛可用