1.1概述：BFU660F
NPN硅微波晶體管，用于塑料4引腳的高速，低噪聲應用
雙發射極SOT343F封裝。

1.2特點和優點：BFU660F
低噪聲高線性度RF晶體管
„ 1.8 GHz時高輸出三階交調點27 dBm
40 GHz fT硅技術

1.3應用：BFU660F
模擬/數字無繩應用
X波段高輸出緩沖放大器
ZigBee
SDARS第二級LNA
LTE，蜂窩，UMTS

制造商:BFU660F
NXP
產品種類:
射頻(RF)雙極晶體管
RoHS:
詳細信息
晶體管類型:
Bipolar
技術:
Si
晶體管極性:
NPN
直流集電極/Base Gain hfe Min:
90
集電極—發射極最大電壓 VCEO:
5.5 V
發射極 - 基極電壓 VEBO:
2.5 V
集電極連續電流:
30 mA
最大工作溫度:
+ 150 C
配置:
Single
安裝風格:
SMD/SMT
封裝 / 箱體:
SOT-343F
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
封裝:
Reel
類型:
RF Bipolar Small Signal
商標:
NXP Semiconductors
增益帶寬產品fT:
21 GHz
Pd-功率耗散:
225 mW
產品類型:
RF Bipolar Transistors
工廠包裝數量:
3000
子類別:
Transistors
零件號別名:
934064611115
單位重量:
6.665 mg