AON6262E (萬代半導體) MOS管
AON6262E 中文資料規格參數
參數列表
技術參數
極性
N-CH
耗散功率
48000mW
漏源極電壓(Vds)
60V
連續漏極電流(Ids)
40A
封裝參數
封裝
DFN
外形尺寸
封裝
DFN
其他
產品生命周期
Active
符合標準
RoHS標準
含鉛標準
無鉛
