MDP1932TH MagnaChip (美格納) MOS管

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MDP1932TH 中文資料規格參數 參數列表 技術參數 極性 N-CH 耗散功率 209000mW 漏源極電壓(Vds) 80V 連續漏極電流(Ids) 175A 封裝參數 封裝 TO-220 外形尺寸 封裝 TO-220 符合標準 RoHS標準 Compliant 產品概述

LV) MOSFET 這些低電壓 (LV) MOSFET 提供低通態電阻和快速切換性能。 ### MOSFET 晶體管，MagnaChip

低電壓 (LV) MOSFET

這些低電壓 (LV) MOSFET 提供低通態電阻和快速切換性能。