通孔-N-通道-900V-5.1A（Tc）-83W（Tc）-PG-TO262-3晶體管 - FET，MOSFET - 單個原廠授權經銷商 熱賣現貨

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規格 FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 900V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 5.1A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 1.2 歐姆 @ 2.8A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 310μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 28nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 710pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 83W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 PG-TO262-3
封裝/外殼 TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

TONY.ZOU（鄒澤凱）
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