PSMN013-100BS是一款晶體管，它的參數如下：

Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA

Part Status Active

FET 類型 N 溝道

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)

封裝/外殼 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

零件狀態 在售

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 13.9 毫歐 @ 15A，10V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V

功率耗散（最大值） 170W（Tc）

安裝類型 表面貼裝

技術 MOSFET（金屬氧化物）

Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.9mOhm @ 15A, 10V

包裝 帶卷（TR）

FET Type N-Channel

Drain to Source Voltage (Vdss) 100V

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

Vgs (Max) ±20V

不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 59nC @ 10V

電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 68A（Tc）

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 3195pF @ 50V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3195pF @ 50V

漏源電壓（Vdss） 100V

供應商器件封裝 D2PAK

Mounting Type Surface Mount

Supplier Device Package D2PAK

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Packaging Tape & Reel (TR)

工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 68A (Tc)

Power Dissipation (Max) 170W (Tc)

Technology MOSFET (Metal Oxide)