UnitedSiC 的 UJ3N 系列 SiC JFET 具有低柵極電荷，可實現低導通并降低開關損耗

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UnitedSiCUJ3N 系列是 650 V 至 1200 V 的高性能 SiC 常通 JFET 晶體管，具有低至 25 兆歐的超低導通電阻 RDS(ON)。柵極電荷 (QG) 也很低，從而可以實現低導通、較小開關損耗以及電路保護。

特性 650 V 至 1200 V 器件選項 25 mohm 的低導通電阻 限流：由于自發熱導致電流快速降低，從而限制了 I2t 常開 JFET：VG(th)溫度不變 符合 RoHS 規范 應用 過流保護電路 DC/AC 逆變器 開關模式電源 功率因數校正模塊 電機驅動器 感應加熱