ROHM Semiconductor的串行EEPROM是非易失性存儲器，具有為數據保留而優化的雙單元結構。汽車EEPROM的寫周期高達1 M，并具有長達40年的數據保留能力。它們提供了一系列接口，包括微線，I2C和串行外圍接口（SPI）總線。存儲容量最高可提供1 Mbit的密度，并提供各種表面貼裝封裝。
BR24T08FVM-WTR
發布時間:2020/7/10 9:52:00 訪問次數:214 發布企業:深圳市徠派德電子有限公司
汽車EEPROM
羅姆半導體的汽車EEPROM提供一系列接口，包括微線，I2C和SPI總線
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