SiC MOSFET和IGBT驅動器9A峰值輸出– IX4351NE IXYS的IX4351NE具有保護功能，包括UVLO和熱關機檢測

IX4351NE" width="200" src="https://www.digikey.com/-/media/Images/Product%20Highlights/I/IXYS%20Integrated%20Circuits%20Division/SiC%20MOSFET%20and%20IGBT%20Driver%209%20A%20Peak%20Output%20IX4351NE/ixys-sic-mosfet-and-igbt-driver-9-a-peak-output-IX4351NE-200.jpg?ts=976413dd-873b-4834-91bc-5714199a5eca&la=en-US" title="IXYS的SiC MOSFET和IGBT驅動器9 A峰值輸出– IX4351NE" style="float:right;margin:0px 0px 10px 15px;max-width:100%;height:auto;" />IXYS集成電路，一個Littelfuse的技術，設計了一個司機的工作特別是與碳化硅MOSFET和高功率IGBT。單獨的9 A源極和漏極輸出可實現量身定制的導通和關斷時序，同時將開關損耗降至最低。內部負電荷調節器可提供可選的負柵極驅動偏置，以改善dv / dt抗擾度并加快關斷速度。

IXYS集成電路事業部還為IX4351提供了一塊評估板，其中包含所有必要的電路，以演示高功率SiC MOSFET柵極驅動器和SiC MOSFET的功能。該評估板包括來自Littelfuse的LSIC1MO120E0080 1200 V SiC MOSFET，典型RDS（ON）為80m，ID為25A。

MOSFET特性 單獨的9 A峰值源和宿輸出 工作電壓范圍：-10 V至+25 V 內部負電荷泵調節器，提供可選的負柵極驅動偏置 使用軟關機接收器驅動程序進行去飽和檢測 TTL和CMOS兼容輸入 欠壓鎖定（UVLO） 熱關斷 開漏故障輸出 評估板功能 柵極驅動器上的9 A源極和漏極輸出 輸出能夠切換25 A 柵極驅動電源范圍為13 V至25 V 3.3 V / 5 V CMOS / TTL邏輯兼容性可實現與微控制器的無縫接口 獨立的欠壓鎖定（UVLO） 輸入引腳包括施密特觸發器，具有更好的抗噪能力 具有軟關機功能的去飽和檢測 負電荷泵