MCAC80N10Y-TP，MCAC85N06Y-TP，MCAC30N06Y-TP，MCU80N03A-TP，SIL05N06-TP，MSJP11N65-BP
MSJP20N65-BP，MSJPF20N65-BP，MSJPF11N65-BP，MSJW20N65-BP，MSJU11N65-TP，MCU60P06-TP
MCT04P06-TP，SI5618-TP，MCU12P06-TP
Micro Commercial Components的超結高壓MOSFET平臺采用多重Epi工藝，額定電壓范圍為650 V〜800V。這使這些部件更加堅固，并具有更好的EMI性能，非常適合于大功率初級側應用。
分離柵技術MOSFET具有極低的RSP值，可在較小的封裝中達到較高的電流密度，并且適合具有節省空間和高效率要求的應用。
當前的SGT產品組合提供30 V〜150 V額定電壓范圍，并且1.5M歐姆是最低的RDSon值。
特征 廣泛的產品組合 RSP值低 高效率 高質量 交貨快
