Cree公司的Wolfspeed公司提供了SiC組件上的高效高增益GaN，這些組件支持衛星通信，可為多載波流傳輸提供完整的視頻帶寬，最快的比特/秒/ MHz。這些組件還通過更有效地散熱，提供了出色的熱性能。SiC上的GaN在較低的溫度下工作。
與其他技術相比，這些GaN內部匹配（IM）FET具有出色的功率附加效率。GaN具有比硅或砷化鎵更高的性能，包括更高的擊穿電壓，更高的飽和電子漂移速度和更高的導熱性。與GaAs晶體管相比，GaN HEMT還具有更高的功率密度和更寬的帶寬。
特征 封裝的分立晶體管和封裝的MMIC具有更高的功率密度，更寬的帶寬和更高的熱性能 SiC MMIC上的GaN在輸入和輸出上匹配50Ω，適用于最小尺寸的功率放大器，可提供給定的輸出功率和應用 從L頻段到Ku頻段的特定頻率操作 占地面積小 匹配更容易 應用領域 衛星通訊 C波段衛星通信 X波段衛星通訊 Ku波段衛星通信 對流散射通信 超越視線
