Incorporated 標準包裝 3,000 其它名稱 ZXMN2A01FTR MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3 制造商 Diodes Incorporated 系列 -

包裝

帶卷（TR） 零件狀態 在售 FET 類型 N 溝道 技術 MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss） 20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 1.9A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V 不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值） 120 毫歐 @ 4A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 700mV @ 250µA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 3nC @ 4.5V Vgs（最大值） ±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 303pF @ 15V FET 功能 - 功率耗散（最大值） 625mW（Ta） 工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型 表面貼裝 供應商器件封裝 SOT-23-3 封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3