TPGAU1S09H脈沖激光二極管

發布時間:2020/8/15 11:26:00 訪問次數:300 發布企業:深圳市大唐盛世半導體有限公司

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TPGAU1S09H ：脈沖激光二極管。公司優勢庫存。

PGA系列脈沖半導體激光器有單，雙，三或四倍落射腔版本。
Excelitas Technologies的PGA系列單和多外延905 nm脈沖半導體激光器由具有多達四個有源激光腔的氣密封裝器件組成，這些器件外延生長在單個GaAs襯底芯片上。這種多腔設計將輸出功率乘以外延層的數量。例如，有源層厚度為225 μm的QPGA四路激光器，具有四個外延生長的激光層，可提供大于100 W的輸出峰值功率，并且通過將三個四路芯片另外堆疊到一個封裝中，可用的設備功率甚至超過300 W. PGA系列的激光芯片的條帶寬度分別為75和225 μm
并以單（PGA），雙（DPGA），三（TPGA）或四倍
（QPGA）Epi-cavity版本，還可以堆疊以進一步提高輸出功率。 PGA系列在垂直于芯片表面的方向上具有25°的光束發散角，并且在結平面內散布了10°的光束。功率輸出在整個MIL規格溫度范圍內均具有出色的穩定性。使用金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）來制造結構。認識到不同的應用需要不同的包裝，有六種標準包裝可供選擇，包括傳統的雙頭螺栓設計以及5.6和9 mm CD包裝和陶瓷基板。由于應用中的脈沖寬度減小并且光耦合變得越來越重要，因此新型封裝（具有減小的電感和更薄，更平坦的窗口）廣受歡迎。此外，在涉及光纖耦合應用的地方，EPI腔有效區域的橫向間距將更多的光功率集中到更小的幾何形狀中，從而增加耦合到光纖中的光功率
主要特點
單晶腔輸出功率的兩倍，三倍或四倍
3個物理堆疊的四層Epi-腔芯片的峰值功率> 300 W
極高的可靠性
自1990年代初以來在安全應用中經過驗證
單件和堆疊設備的范圍
選擇6種標準包裝。
在85°C的環境下保持80％的功率
針對不同應用程序的定制靈活性
小發射區增加了光纖耦合輸出
符合RoHS
應用領域
激光測距
激光安全幕（激光掃描）
紅外夜間照明
激光速度測量（激光雷達）
汽車自適應巡航控制（ACC）
醫療和其他分析應用中的材料激發
武器模擬