ISSI的LPDDR4和LPDDR4X是低壓存儲設備，具有2 Gb，4 Gb和8 Gb密度。器件按每個器件的1/2通道進行組織，每個通道為8個存儲體和16位。LPDDR4和LPDDR4X使用雙數據速率架構來實現高速操作。雙數據速率架構本質上是16N預取架構，其接口設計為每個時鐘周期在I / O引腳傳輸兩個數據字。
LPDDR4和LPDDR4X提供完全同步的操作，參考時鐘的上升沿和下降沿。數據路徑在內部進行了流水線處理，并預取了16n位以實現很高的帶寬。LPDDR4和LPDDR4X均具有可編程的突發讀寫長度的可編程讀寫延遲。這些設備的低壓內核和I / O使它們成為移動應用的理想選擇。
特征 低電壓LPDDR4：1.8伏 LPDDR4X：1.1伏 低壓I / O
LPDDR4：1.1 V LPDDR4X：0.6伏 10 MHz至1600 MHz頻率范圍 每個I / O數據速率20 Mbps至3200 Mbps 16N預取DDR架構 每個通道八個內部存儲庫，用于并行操作 多路復用雙倍數據速率命令/地址輸入 移動功能可降低功耗 可編程的實時突發長度（BL = 16或32） 可編程的讀寫延遲 片上溫度傳感器可實現有效的自刷新控制 ZQ校準 可調驅動強度 部分數組自刷新（PASR） 10毫米x 14.5毫米BGA-200封裝 時鐘頻率：1.6 GHz 內存格式：DRAM 內存接口：并行 內存類型：易失 安裝類型：表面安裝 工作溫度：-40°C至95°C（TC） 包裝/箱體：200-TFBGA至200-WFBGA 技術：SDRAM移動LPDDR4 電源電壓：1.06 V至1.17 V，1.7 V至1.95 V 應用領域 移動計算 平板電腦
