MICROFJ-30035 硅光電倍增二極管硅光電倍增傳感器

發布時間:2020/9/8 12:01:00 訪問次數:205 發布企業:深圳市品惠科技有限公司

Silicon Photomultiplier (SiPM),J-Series, 3mmx3mm, 35μm/5676 Microcells, 420nm, ODCSP-8

硅光電倍增管（SiPM）靈敏面積：3*3mm microcell：35μm/5676 Microcells 最大波長: 420nm

深圳品惠科技有限公司作為亞太地區原廠授權增值服務商，可為終端使用者同時提供貼合服務，

并可提供開發評估測試板：MICROFJ-SMA-30035-GEVB 可用于微型 FJ-30035-TSV-TR設計開發用

產品詳細信息

ON Semiconductor's J-Series low-light sensors feature a high PDE (photon detection efficiency) that is achieved using a high-volume, P-on-N silicon foundry process. The J-Series sensors incorporate major improvements in the transit time spread which results in a significant improvement in the timing performance of the sensor. J-Series sensors are available in different sizes (3 mm, 4 mm and 6 mm) and use a TSV (Through Silicon Via) process to create a package with minimal deadspace, that is compatible with industry standard lead-free, reflow soldering processes.

J 系列傳感器采用 ON Semiconductor 獨特的 " 快速輸出 Terminal
溫度穩定性為 21.5 mV/°C
異常擊穿電壓均勻性 ±250 mV
提供回流焊接兼容 TSV 芯片級封裝
超低暗計數率、通常為 50 kHz/50V
優化用于高性能計時應用、例如 TOF - PET
3 mm 、 4 mm 和 6 mm 傳感器尺寸
偏壓電<壓為 30 V
在 420 nm 時產生 50% 光子檢測效率（ PDE ）
改善了信號上升時間和微單元恢復時間
無需主動電壓控制
行業領先的一致性
TSV 封裝可產生幾乎零死空間、允許創建高填充因子陣列、并且不含鐵金屬

應用
醫療成像
危險和威脅
3D 范圍和傳感
生物技術與科學
高能物理

輻射探測

產品技術參數屬性數值
封裝類型表面安裝
安裝類型表面安裝
針數目 4
二極管材料 Si
檢測到的最小波長 200nm
檢測到的最大波長 900nm
長度 3.16mm
寬度 3.16mm
高度 0.46mm
系列 J
擊穿電壓 24.7V